Наши технологии
Инновации, которые соединяют будущее. Расширяем границы возможного в упаковке электроники.
3D-интеграция и TSV
Системы сквозных кремниевых переходов (Through-Silicon Via) позволяют вертикально объединять до 16 слоёв чипов. Сокращение задержек на 60%, энергопотребления — на 40%. Диаметр TSV от 2 мкм, глубина до 100 мкм.
Плотность: 10⁶ соединений/мм²
Кремниевые интерпозеры
Пассивные и активные интерпозеры с микрошагом 2 мкм обеспечивают пропускную способность до 10 Тбит/с для гетерогенной интеграции. Поддержка HBM2E, HBM3. Размер до 2.5D.
Линии 2/2 мкм
Многослойные субстраты
До 32 слоёв проводников, линии/зазоры 5/5 мкм, материалы с низкими диэлектрическими потерями (Dk < 3,0) для работы на частотах до 100 ГГц. Идеально для FPGA, ASIC, процессоров.
До 32 слоёв
Интегрированное охлаждение
Микроканалы и термоэлектрические охладители, интегрированные в подложку, отводят до 1 кВт/см² тепловой мощности. Решения для жидкостного охлаждения внутри пакета.
1 кВт/см²Технологии следующего поколения
Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP)
Безподложечная упаковка с редистрибуционными слоями. Уменьшение толщины до 200 мкм, улучшенные теплоотвод и электрические характеристики. Подходит для мобильных и носимых устройств.
Гибридная подварка (Hybrid Bonding)
Соединение медь-медь без паяльных шариков, шаг до 1 мкм. Плотность соединений в 1000 раз выше, чем у флип-чипа. Для 3D-интеграции высокой плотности.
Кремниевая фотоника
Интеграция оптических интерконнектов на подложке. Скорость передачи данных до 400 Гбит/с на канал, минимальные задержки для AI-кластеров.
Технические характеристики платформ
| Параметр | Значение / Диапазон |
|---|---|
| Минимальная ширина линии / зазор | 5 / 5 мкм (субстраты), 2 / 2 мкм (интерпозеры) |
| Количество слоёв | До 32 (органические), до 10 (кремниевые) |
| Типы материалов | Low-Dk, High-Tg, керамика, кремний, стекло |
| Диаметр TSV | 2 – 50 мкм |
| Термическая стабильность | -55°C до +125°C (до +200°C для спецверсий) |
| Максимальное количество I/O | > 10 000 на кристалл |
| Скорость передачи данных | До 56 Гбит/с на линию (NRZ), до 112 Гбит/с (PAM4) |
Дорожная карта развития
Выпуск активных интерпозеров с питанием 0.8V. Массовое внедрение гибридной подварки.
2.1D интеграция с оптоэлектронными вставками. Поддержка HBM4. Технология охлаждения micro-fluidic.
Гетерогенная интеграция с чиплетами на разных техпроцессах (Intel, TSMC, Samsung). Квантово-устойчивые упаковки.
3D-интеграция с 32+ слоями. Переход на субмикронные межсоединения. Упаковка для нейроморфных процессоров.
Почему Endicott Interconnect?
- ✓ Собственный R&D центр — чистая комната класса 10, оборудование для литографии, PVD, CVD, электрохимического осаждения.
- ✓ Сквозное моделирование — электрическое, тепловое и механическое (ANSYS, Cadence) для оптимизации производительности.
- ✓ Быстрое прототипирование — от концепции до образцов за 4–6 недель.
- ✓ Высокая надёжность — испытания на термоциклирование, влажность, удар, радиацию.
- ✓ Поддержка на всех этапах — инженерная поддержка от дизайна до квалификации и серийного производства.
Нужна консультация по выбору технологии для вашего проекта?
Поговорите с нашим инженером →